FF2MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF2MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF2MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00144 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 52Pin(s), Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00144ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF2MR12W3M1HB11BPSA1 nach Preis ab 796.91 EUR bis 914.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFET Modules Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module |
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FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 4N-CH 1200V AG-EASY3B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48400pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 400A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1600nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA Supplier Device Package: AG-EASY3B Part Status: Active |
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FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF2MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00144 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 52Pin(s) Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00144ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 400A 58-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 400A 58-Pin Tray |
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