FF300R08W2P2B11ABOMA1 Infineon Technologies
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| 1+ | 113.20 EUR |
| 10+ | 104.17 EUR |
| 30+ | 89.85 EUR |
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Technische Details FF300R08W2P2B11ABOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF300R08W2P2B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 1 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT EDT2, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V, Produktpalette: EasyPack Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FF300R08W2P2B11ABOMA1 nach Preis ab 109.43 EUR bis 127.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Module with EDT2 IGBT and Diode |
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FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Module with EDT2 IGBT and Diode |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: EASY PACK AG-EASY2B-3 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.18V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 53 nF @ 50 V |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF300R08W2P2B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 1 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT EDT2 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V Produktpalette: EasyPack Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Module with EDT2 IGBT and Diode |
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FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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