Technische Details FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: 20mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm.
Weitere Produktangebote FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 nach Preis ab 61.07 EUR bis 93.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
|
|
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
|
|
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
 |
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
 |
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||
 |
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET Packaging: Tray |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 61.07 EUR |
| FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 77.89 EUR |
| 100+ | 72.94 EUR |
| FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 77.89 EUR |
| FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 80.65 EUR |
| 5+ | 73.38 EUR |
| FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 82.68 EUR |
| 10+ | 64.46 EUR |
| FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
|
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 93.64 EUR |
| 30+ | 63.61 EUR |