FF3MR20W3M1HH11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and High Current Pin / NTC
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Technische Details FF3MR20W3M1HH11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF3MR20W3M1HH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 275 A, 2 kV, 0.0041 ohm, Modul, tariffCode: 85365080, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 275A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 52Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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Preis |
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FF3MR20W3M1HH11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF3MR20W3M1HH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 275 A, 2 kV, 0.0041 ohm, Modul tariffCode: 85365080 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 275A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 52Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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