FF3MR20W3M1HH11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and High Current Pin / NTC
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Technische Details FF3MR20W3M1HH11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF3MR20W3M1HH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 275 A, 2 kV, 4100 µohm, Modul, tariffCode: 85365080, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 275A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 52Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FF3MR20W3M1HH11BPSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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FF3MR20W3M1HH11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF3MR20W3M1HH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 275 A, 2 kV, 4100 µohm, Modul tariffCode: 85365080 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 275A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 52Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FF3MR20W3M1HH11BPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR20W3M1HH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 275 A, 2 kV, 4100 µohm, Modul
tariffCode: 85365080
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF3MR20W3M1HH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 275 A, 2 kV, 4100 µohm, Modul
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
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Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11 Stücke:
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