FF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 355.43 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 2kW, Verlustleistung: 2kW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 580A, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 580A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Weitere Produktangebote FF400R12KE3HOSA1 nach Preis ab 273.94 EUR bis 460.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W MOD |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FF400R12KE3HOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 2kW Verlustleistung: 2kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 580A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 580A Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| FF400R12KE3HOSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 355.43 EUR |
| FF400R12KE3HOSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 361.15 EUR |
| 2+ | 343.23 EUR |
| 3+ | 325.2 EUR |
| 5+ | 309.15 EUR |
| 10+ | 296.99 EUR |
| 20+ | 286.05 EUR |
| 50+ | 273.94 EUR |
| FF400R12KE3HOSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W MOD
Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W MOD
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 367.26 EUR |
| 10+ | 321.2 EUR |
| FF400R12KE3HOSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 376.15 EUR |
| 10+ | 349.67 EUR |
| FF400R12KE3HOSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 378.17 EUR |
| 10+ | 343.91 EUR |
| FF400R12KE3HOSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2kW
Verlustleistung: 2kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 580A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 580A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2kW
Verlustleistung: 2kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 580A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 580A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 460.39 EUR |
| 5+ | 418.96 EUR |
| 10+ | 378.84 EUR |