FF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 580A 2000W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
auf Bestellung 20 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 288.45 EUR |
| 10+ | 263.05 EUR |
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Technische Details FF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 2kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 580A, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 580A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF400R12KE3HOSA1 nach Preis ab 195.75 EUR bis 307.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 2kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 580A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 580A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: FF400R12KE3HOSA1 |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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