FF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 580A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 2kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 580A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Weitere Produktangebote FF400R12KE3HOSA1 nach Preis ab 288.86 EUR bis 365.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 580 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V |
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FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 580A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 2kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 580A Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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