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FF400R12KE3HOSA1

FF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies


ds_ff400r12ke3_3_1_zh-en.pdffileiddb3a30433de4e67f013de89221fc160.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
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Technische Details FF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 2kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 580A, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 580A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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FF400R12KE3HOSA1 FF400R12KE3HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies ds_ff400r12ke3_3_1_zh-en.pdffileiddb3a30433de4e67f013de89221fc160.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
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FF400R12KE3HOSA1 FF400R12KE3HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies FF400R12KE3.pdf Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
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FF400R12KE3HOSA1 FF400R12KE3HOSA1 Hersteller : INFINEON INFNS28391-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 580A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 580A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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FF400R12KE3HOSA1 FF400R12KE3HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies ds_ff400r12ke3_3_1_zh-en.pdffileiddb3a30433de4e67f013de89221fc160.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
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FF400R12KE3HOSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES FF400R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: FF400R12KE3HOSA1
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FF400R12KE3HOSA1 FF400R12KE3HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies ds_ff400r12ke3_3_1_zh-en.pdffileiddb3a30433de4e67f013de89221fc160.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
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