FF450R12KE4HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 520A 2400W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 520 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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1+ | 232.58 EUR |
10+ | 204.46 EUR |
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Technische Details FF450R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 520A 2400W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 520 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 2400 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FF450R12KE4HOSA1 nach Preis ab 282.74 EUR bis 282.74 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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FF450R12KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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FF450R12KE4HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Power dissipation: 2.4kW Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FF450R12KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Power dissipation: 2.4kW Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A |
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