FF450R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 580A 2400W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 212.7 EUR |
| 10+ | 186.69 EUR |
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Technische Details FF450R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF450R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 580A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 2.4kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 7Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 580A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FF450R12KT4HOSA1 nach Preis ab 270.94 EUR bis 270.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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FF450R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF450R12KT4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF450R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 580A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 2.4kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 580A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF450R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF450R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF450R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FF450R12KT4HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Power dissipation: 2.4kW Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FF450R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FF450R12KT4HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Power dissipation: 2.4kW Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A |
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