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Technische Details FF450R33T3E3B5BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF450R33T3E3B5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V, Dauer-Kollektorstrom: 450A, usEccn: 3A228.c, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3kV, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: XHP3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 450A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FF450R33T3E3B5BPSA1 nach Preis ab 2496.67 EUR bis 2496.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FF450R33T3E3B5BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 3300V 450A AGXHP100-6Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP100-6 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 1000000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V |
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FF450R33T3E3B5BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF450R33T3E3B5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V Dauer-Kollektorstrom: 450A usEccn: 3A228.c IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: 3A228.c Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3kV Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: XHP3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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FF450R33T3E3B5BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 3300V 450A Tray |
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| FF450R33T3E3B5BPSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 3.3kV Collector current: 450A Case: AG-XHP100-6 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 900A Technology: XHP™3 Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FF450R33T3E3B5BPSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 3.3kV Collector current: 450A Case: AG-XHP100-6 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 900A Technology: XHP™3 Mechanical mounting: screw |
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