FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 594nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 299.71 EUR |
| 15+ | 279.97 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF4MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 4000 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF4MR12W2M1HB70BPSA1 nach Preis ab 402 EUR bis 402 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF4MR12W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||
 |
FF4MR12W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF4MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 4000 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||
| FF4MR12W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
LOW POWER EASY |
Produkt ist nicht verfügbar |