FF4MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36100pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 300A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1170nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA
Supplier Device Package: AG-62MMHB
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 920.66 EUR |
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Technische Details FF4MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF4MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 280 A, 2 kV, 0.0053 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF4MR20KM1HHPSA1 nach Preis ab 955.29 EUR bis 955.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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FF4MR20KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF4MR20KM1HHPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF4MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 280 A, 2 kV, 0.0053 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF4MR20KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
62 mm C-Series Module with CoolSiC Trench MOSFET |
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