FF500R17KE4BOSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEONDescription: INFINEON - FF500R17KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 500A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 500A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
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Technische Details FF500R17KE4BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF500R17KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 500A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 500A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF500R17KE4BOSA1 nach Preis ab 308.28 EUR bis 335.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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| FF500R17KE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1700 V, 500 A dual IGBT module |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF500R17KE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 500A 7-Pin AG-62MM Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FF500R17KE4BOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 500A Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1kA Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF500R17KE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1700V 500A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 500A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 500 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 45 nF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FF500R17KE4BOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 500A Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1kA Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |