FF500R17KE4BOSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF500R17KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 500A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Technische Details FF500R17KE4BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF500R17KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: -, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 500A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 500A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FF500R17KE4BOSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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FF500R17KE4BOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1700V 500A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 500A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 500 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 45 nF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FF500R17KE4BOSA1 | Infineon Technologies |
FF500R17KE4BOSA1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FF500R17KE4BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 500A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 500A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 500 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 45 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1700V 500A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 500A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 500 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 45 nF @ 25 V
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FF500R17KE4BOSA1
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