FF55MR12W1M1HB11BPSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 51.44 EUR |
| 10+ | 42.76 EUR |
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Technische Details FF55MR12W1M1HB11BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: 20mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm.
Weitere Produktangebote FF55MR12W1M1HB11BPSA1 nach Preis ab 46.1 EUR bis 71.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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FF55MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF55MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: EASYDUAL MODULE WITH COOLSIC TRE Packaging: Tray Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 6mA FET Feature: Silicon Carbide (SiC) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 18V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF55MR12W1M1HB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 62.52 EUR |
| 10+ | 46.1 EUR |
| FF55MR12W1M1HB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: EASYDUAL MODULE WITH COOLSIC TRE
Packaging: Tray
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 6mA
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Description: EASYDUAL MODULE WITH COOLSIC TRE
Packaging: Tray
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 6mA
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 71.1 EUR |