
FF55MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: EASYDUAL MODULE WITH COOLSIC TRE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 800V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 6mA
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Anzahl | Preis |
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1+ | 61.18 EUR |
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Technische Details FF55MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote FF55MR12W1M1HB11BPSA1 nach Preis ab 78.53 EUR bis 100.65 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FF55MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF55MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
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