FF55MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF55MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote FF55MR12W1M1HB11BPSA1 nach Preis ab 78.53 EUR bis 100.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FF55MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD |
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FF55MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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