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FF600R12IE4PNOSA1 Infineon Technologies


infineonff600r12ie4dsv0204enjp.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3350W 10-Pin
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Technische Details FF600R12IE4PNOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 600A 3350W MOD, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 600 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 3350 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V.

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FF600R12IE4PNOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 600A 3350W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
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FF600R12IE4PNOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-FF600R12IE4-DS-v02_04-en-1539537.pdf IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
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FF600R12IE4PNOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 600A 3350W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
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NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
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Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
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