Technische Details FF600R12KE4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF600R12KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Trench/Fieldstop, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 600A, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FF600R12KE4BOSA1 nach Preis ab 204.81 EUR bis 320.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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FF600R12KE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MODULE 1200V 600A MODULEPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF600R12KE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF600R12KE4BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Trench/Fieldstop, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF600R12KE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF600R12KE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF600R12KE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |