Technische Details FF600R12KE4EBOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: -, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 600A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FF600R12KE4EBOSA1 nach Preis ab 272.38 EUR bis 468.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
|
|
FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
 |
FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 600A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||
|
|
FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
|
|
FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
 |
FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 600 A common emitter IGBT module |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||
 |
FF600R12KE4EBOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| FF600R12KE4EBOSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 284.87 EUR |
| 25+ | 272.38 EUR |
| FF600R12KE4EBOSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 284.87 EUR |
| FF600R12KE4EBOSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 600A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 600A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 312.15 EUR |
| 10+ | 308.01 EUR |
| FF600R12KE4EBOSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 340.46 EUR |
| FF600R12KE4EBOSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 340.46 EUR |
| FF600R12KE4EBOSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
IGBT Modules 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 349.6 EUR |
| 10+ | 296.05 EUR |
| FF600R12KE4EBOSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 468.74 EUR |
| 5+ | 380.84 EUR |