FF600R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: 62MM POWER MODULE 1200 V WITH IG
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MM
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details FF600R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF600R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 600A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: C-, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FF600R12KT4HOSA1 nach Preis ab 462.51 EUR bis 520.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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FF600R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FF600R12KT4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 600A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: C- Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF600R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005342974 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF600R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: 62MM POWER MODULE 1200 V WITH IG Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MM IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V |
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