Technische Details FF600R12ME4B72BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF600R12ME4B72BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: -, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 600A, Produktpalette: EconoDUAL3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote FF600R12ME4B72BOSA1 nach Preis ab 258.8 EUR bis 569.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 1200A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF600R12ME4B72BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12ME4B72BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: EconoDUAL3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies |
EconoDUAL 3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies |
EconoDUAL 3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF600R12ME4B72BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 291.91 EUR |
| 10+ | 258.8 EUR |
| FF600R12ME4B72BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 1200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 302.03 EUR |
| 10+ | 275.44 EUR |
| FF600R12ME4B72BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 323.81 EUR |
| FF600R12ME4B72BOSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12ME4B72BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - FF600R12ME4B72BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 380.42 EUR |
| 5+ | 353.23 EUR |
| 10+ | 326.04 EUR |
| FF600R12ME4B72BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 383.42 EUR |
| 10+ | 310.79 EUR |
| FF600R12ME4B72BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
EconoDUAL 3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC
EconoDUAL 3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 441.3 EUR |
| 5+ | 404.4 EUR |
| 10+ | 378.5 EUR |
| FF600R12ME4B72BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
EconoDUAL 3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC
EconoDUAL 3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 569.93 EUR |
| 5+ | 498.4 EUR |
| 10+ | 453.34 EUR |