FF600R12ME4B72BOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 253.81 EUR |
| 10+ | 231.46 EUR |
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Technische Details FF600R12ME4B72BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF600R12ME4B72BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 600A, Produktpalette: EconoDUAL3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FF600R12ME4B72BOSA1 nach Preis ab 268.99 EUR bis 366.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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FF600R12ME4B72BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF600R12ME4B72BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF600R12ME4B72BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
EconoDUAL 3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF600R12ME4B72BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12ME4B72BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: EconoDUAL3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF600R12ME4B72BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF600R12ME4B72BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
EconoDUAL 3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF600R12ME4B72BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
EconoDUAL 3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC |
Produkt ist nicht verfügbar |