Technische Details FF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF650R17IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 4.15kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.15kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 930A, Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 930A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FF650R17IE4BOSA1 nach Preis ab 623.36 EUR bis 822.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF650R17IE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MODULE 1700V 4150W MODULEPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 4150 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||
 |
FF650R17IE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
 |
FF650R17IE4BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF650R17IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 4.15kW euEccn: NLR Verlustleistung: 4.15kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 930A Produktpalette: PrimePACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 930A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||
 |
FF650R17IE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
|
|
FF650R17IE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |