FF650R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 4150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 862.14 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FF650R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF650R17IE4DB2BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 4, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2, Verlustleistung Pd: 4.15, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7, Anzahl der Pins: 10, Produktpalette: -, IGBT-Konfiguration: Zweifach, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 650, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote FF650R17IE4DB2BOSA1 nach Preis ab 906.69 EUR bis 1038.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF650R17IE4DB2BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
|
|
FF650R17IE4DB2BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
FF650R17IE4DB2BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF650R17IE4DB2BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 4 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2 Verlustleistung Pd: 4.15 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Anzahl der Pins: 10 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Zweifach Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 650 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
FF650R17IE4DB2BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
FF650R17IE4DB2BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150000mW 10-Pin PRIME2-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
| FF650R17IE4DB2BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules PP IHM I |
Produkt ist nicht verfügbar |