Technische Details FF6MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF6MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 140 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FF6MR12KM1HHPSA1 nach Preis ab 291.44 EUR bis 326.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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FF6MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Module |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF6MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF6MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 140 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |