FF6MR12KM1PHOSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 816.02 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FF6MR12KM1PHOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF6MR12KM1PHOSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -Pin(s), productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00581ohm.
Weitere Produktangebote FF6MR12KM1PHOSA1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
FF6MR12KM1PHOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF6MR12KM1PHOSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: -Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00581ohm |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
FF6MR12KM1PHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | samples only |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
FF6MR12KM1PHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SIC 2N-CH 1200V 250A AG-62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA Supplier Device Package: AG-62MM |
Produkt ist nicht verfügbar |