Technische Details FF6MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 145A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FF6MR12W2M1HB11BPSA1 nach Preis ab 181.6 EUR bis 210.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 145A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 150A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA Supplier Device Package: Module |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |