Technische Details FF6MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 145A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: 20mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm.
Weitere Produktangebote FF6MR12W2M1HB11BPSA1 nach Preis ab 96.43 EUR bis 317.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 145A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 150A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA Supplier Device Package: Module |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 96.43 EUR |
| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 145A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 150A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA
Supplier Device Package: Module
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 145A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 150A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA
Supplier Device Package: Module
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 250.85 EUR |
| 15+ | 221.42 EUR |
| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 254.93 EUR |
| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 145A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 317.35 EUR |
| 5+ | 281.93 EUR |
| 10+ | 248.5 EUR |