FF6MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 342.99 EUR |
| 10+ | 321.24 EUR |
| 30+ | 310.92 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FF6MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 0.0054 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 145A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF6MR12W2M1HB11BPSA1 nach Preis ab 322.14 EUR bis 343.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: SIC 2N-CH 1200V 145A MODULEPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 150A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA Supplier Device Package: Module |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 0.0054 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
FF6MR12W2M1H_B11 |
Produkt ist nicht verfügbar |