FF6MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF6MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 0.0054 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote FF6MR12W2M1HB70BPSA1 nach Preis ab 335.63 EUR bis 335.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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FF6MR12W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: LOW POWER EASYPackaging: Tray |
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FF6MR12W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 0.0054 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| FF6MR12W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
FF6MR12W2M1H_B70 |
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