FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon Technologies
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|---|---|
| 18+ | 421 EUR |
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Technische Details FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET MODULE LOW POWER EASY, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 20mW (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA, Part Status: Obsolete.
Weitere Produktangebote FF6MR12W2M1PB11BPSA1 nach Preis ab 468.04 EUR bis 617.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Silicon Carbide Power Mosfet |
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| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
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| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP004134434 |
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FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET MODULE LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 20mW (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA Part Status: Obsolete |
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| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER EASY |
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