FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
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Technische Details FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FF8MR12W1M1HB11BPSA1 nach Preis ab 114.21 EUR bis 143.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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FF8MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF8MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 18-Pin Tray |
auf Bestellung 3342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF8MR12W1M1HB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FF8MR12W1M1HB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 139.92 EUR |
| 24+ | 114.21 EUR |
| FF8MR12W1M1HB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 18-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 18-Pin Tray
auf Bestellung 3342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 143.97 EUR |
| 100+ | 134.82 EUR |
| 500+ | 124.94 EUR |
| 1000+ | 115.38 EUR |
| FF8MR12W1M1HB11BPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)