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FF8MR12W1M1HB11BPSA1

FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF8MR12W1M1H_B11-DataSheet-v00_30-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b72791dec7c06 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
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Technische Details FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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FF8MR12W1M1HB11BPSA1 FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_DS_FF8MR12W1M1H_B11_v0_30_en-3197307.pdf IGBT Modules EASY STANDARD
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FF8MR12W1M1HB11BPSA1 FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Hersteller : INFINEON Infineon-FF8MR12W1M1H_B11-DataSheet-v00_30-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b72791dec7c06 Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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