FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 166.21 EUR |
| 24+ | 138.03 EUR |
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Technische Details FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Supplier Device Package: AG-EASY1B, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote FF8MR12W1M1HB11BPSA1 nach Preis ab 207.29 EUR bis 238.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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FF8MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules EASY STANDARD |
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