FF8MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF8MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF8MR12W1M1HB70BPSA1 nach Preis ab 209.81 EUR bis 228.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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FF8MR12W1M1HB70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V |
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FF8MR12W1M1HB70BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| FF8MR12W1M1HB70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005634508 |
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