Technische Details FF900R12IE4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF900R12IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 5.1kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.1kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 900A, Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FF900R12IE4BOSA1 nach Preis ab 557.78 EUR bis 738.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF900R12IE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
FF900R12IE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
FF900R12IE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
FF900R12IE4BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF900R12IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 5.1kW euEccn: NLR Verlustleistung: 5.1kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 900A Produktpalette: PrimePACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 900A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
FF900R12IE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
FF900R12IE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |