FF900R12IE4BOSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF900R12IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 5.1kW
Verlustleistung: 5.1kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Technische Details FF900R12IE4BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF900R12IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 5.1kW, Verlustleistung: 5.1kW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 900A, Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FF900R12IE4BOSA1 nach Preis ab 717.43 EUR bis 878.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 5100 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12IE4BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 801.82 EUR |
| FF900R12IE4BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 836.15 EUR |
| 25+ | 799.48 EUR |
| 100+ | 757.9 EUR |
| 500+ | 717.43 EUR |
| FF900R12IE4BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 836.15 EUR |
| FF900R12IE4BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 5100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 5100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
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| 1+ | 878.99 EUR |