FFSB0665B-F085 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details FFSB0665B-F085 onsemi
Description: ONSEMI - FFSB0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 16nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FFSB0665B-F085 nach Preis ab 2.83 EUR bis 8.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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FFSB0665B-F085 | onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5 |
auf Bestellung 1239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFSB0665B-F085 | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 7944 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFSB0665B-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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FFSB0665B-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FFSB0665B-F085 |
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Hersteller: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5
SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.69 EUR |
| 10+ | 5.01 EUR |
| 100+ | 3.53 EUR |
| 500+ | 2.83 EUR |
| FFSB0665B-F085 |
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Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.21 EUR |
| 10+ | 5.4 EUR |
| 100+ | 3.82 EUR |
| FFSB0665B-F085 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FFSB0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FFSB0665B-F085 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
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Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FFSB0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)