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FFSB20120A

FFSB20120A onsemi

ffsb20120a-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
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Technische Details FFSB20120A onsemi

Description: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz, Current - Average Rectified (Io): 32A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FFSB20120A FFSB20120A onsemi FFSB20120A-D.PDF SiC Schottky Diodes SIC TO263 SBD 20A 1 200V
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