Produkte > ONSEMI > FFSB20120A
FFSB20120A

FFSB20120A onsemi

ffsb20120a-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FFSB20120A onsemi

Description: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz, Current - Average Rectified (Io): 32A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.

Weitere Produktangebote FFSB20120A nach Preis ab 6.79 EUR bis 14.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FFSB20120A FFSB20120A Hersteller : onsemi ffsb20120a-d.pdf SiC Schottky Diodes SIC TO263 SBD 20A 1 200V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.03 EUR
10+9.52 EUR
100+7.16 EUR
250+7.15 EUR
800+6.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB20120A FFSB20120A Hersteller : onsemi ffsb20120a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 3664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+14.82 EUR
10+10.13 EUR
100+7.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB20120A Hersteller : ON Semiconductor ffsb20120a-d.pdf
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB20120A FFSB20120A Hersteller : ON Semiconductor ffsb20120a-d.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB20120A Hersteller : ONSEMI ffsb20120a-d.pdf FFSB20120A SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH