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FFSB2065BDN-F085

FFSB2065BDN-F085 onsemi

ffsb2065bdn-f085-d.pdf Hersteller: onsemi
SiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
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Technische Details FFSB2065BDN-F085 onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 23.6A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 23.6A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.

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FFSB2065BDN-F085 FFSB2065BDN-F085 Hersteller : onsemi ffsb2065bdn-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 23.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23.6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
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FFSB2065BDN-F085 FFSB2065BDN-F085 Hersteller : ON Semiconductor ffsb2065bdn-f085-d.pdf Diode Schottky 650V 23.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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