Produkte > ONSEMI > FFSD0865B
FFSD0865B

FFSD0865B onsemi

ffsd0865b-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FFSD0865B onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 11.6A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Weitere Produktangebote FFSD0865B nach Preis ab 1.87 EUR bis 6.74 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FFSD0865B FFSD0865B Hersteller : onsemi ffsd0865b-d.pdf SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 4913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.45 EUR
10+2.64 EUR
100+2.16 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B FFSD0865B Hersteller : onsemi ffsd0865b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 4724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.44 EUR
10+3.54 EUR
100+2.47 EUR
500+2 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B FFSD0865B Hersteller : onsemi ffsd0865b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.74 EUR
10+4.44 EUR
100+3.13 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD0865B Hersteller : ON Semiconductor ffsd0865b-d.pdf
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH