FFSH1265BDN-F085 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 7.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 7.2A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.06 EUR |
| 10+ | 6.39 EUR |
| 30+ | 6.09 EUR |
| 120+ | 5.29 EUR |
| 270+ | 5.23 EUR |
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Technische Details FFSH1265BDN-F085 onsemi
Description: ONSEMI - FFSH1265BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 16 nC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 16nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FFSH1265BDN-F085 nach Preis ab 5.21 EUR bis 8.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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FFSH1265BDN-F085 | Hersteller : onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD GEN1.5 |
auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFSH1265BDN-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSH1265BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 16 nC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FFSH1265BDN-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 14.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FFSH1265BDN-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FFSH1265BDN-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FFSH1265BDN-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 14.4A; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 14.4A Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FFSH1265BDN-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 14.4A; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 14.4A Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Application: automotive industry |
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