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FFSH1665A

FFSH1665A onsemi

ffsh1665a-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
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Technische Details FFSH1665A onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 23A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

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FFSH1665A FFSH1665A Hersteller : onsemi FFSH1665A_D-2313132.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A SIC SBD
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
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