auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 22.04 EUR |
| 10+ | 20.93 EUR |
| 30+ | 19.45 EUR |
| 60+ | 18.97 EUR |
| 120+ | 18.59 EUR |
| 270+ | 18.3 EUR |
| 510+ | 17.51 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FFSH20120A-F085 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote FFSH20120A-F085 nach Preis ab 17.75 EUR bis 25.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSH20120A-F085 | Hersteller : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 21140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|