auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 13.22 EUR |
| 30+ | 11.95 EUR |
| 60+ | 11.93 EUR |
| 120+ | 11.53 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FFSH20120ADN-F085 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote FFSH20120ADN-F085 nach Preis ab 18.93 EUR bis 27.40 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSH20120ADN-F085 | Hersteller : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 754 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
| FFSH20120ADN-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 356 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||
| FFSH20120ADN-F085 | Hersteller : ONSEMI |
FFSH20120ADN-F085 THT Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |