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FFSH5065A-F155

FFSH5065A-F155 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details FFSH5065A-F155 ON Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 60A TO247-3, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io): 60A, Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FFSH5065A-F155 FFSH5065A-F155 ON Semiconductor ffsh5065a-f155-d.pdf Diode Schottky SiC 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FFSH5065A-F155 FFSH5065A-F155 onsemi FFSH5065A_F155_D-2313166.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODE TO247 650V
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 60A
Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Current - Average Rectified (Io): 60A
Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz
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Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
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