FFSM0865B ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSM0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Technische Details FFSM0865B ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSM0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, PQFN, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: PQFN, Kapazitive Gesamtladung: 22nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FFSM0865B nach Preis ab 2.02 EUR bis 6.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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FFSM0865B | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 11.6A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFSM0865B | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 11.6A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFSM0865B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSM0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, PQFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PQFN Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FFSM0865B | onsemi |
SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 8A PQFM88 |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FFSM0865B | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FFSM0865B |
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Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
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Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
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Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3000+ | 2.81 EUR |
| FFSM0865B |
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Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.76 EUR |
| 10+ | 4.83 EUR |
| 100+ | 3.92 EUR |
| 500+ | 3.47 EUR |
| 1000+ | 2.98 EUR |
| FFSM0865B |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSM0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FFSM0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 6.5 EUR |
| 61+ | 3.83 EUR |
| 100+ | 2.49 EUR |
| 500+ | 2.23 EUR |
| 1000+ | 2.02 EUR |
| FFSM0865B |
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Hersteller: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 8A PQFM88
SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 8A PQFM88
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.85 EUR |
| 10+ | 4.46 EUR |
| 100+ | 3.14 EUR |
| 500+ | 2.49 EUR |
| 1000+ | 2.32 EUR |
| 3000+ | 2.14 EUR |
| FFSM0865B |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)