FFSM1265A ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: QFN
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Technische Details FFSM1265A ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: QFN, Kapazitive Gesamtladung: 40nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FFSM1265A nach Preis ab 3.06 EUR bis 11.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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FFSM1265A | onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD |
auf Bestellung 3021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFSM1265A | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 12.5A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
auf Bestellung 2464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFSM1265A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: QFN Kapazitive Gesamtladung: 40nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 589 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FFSM1265A | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 12.5A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFSM1265A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 12A, QFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: QFN Kapazitive Gesamtladung: 40nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A Anzahl der Pins: 4 Pin Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FFSM1265A |
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Hersteller: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD
SiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD
auf Bestellung 3021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.33 EUR |
| 10+ | 5.78 EUR |
| 100+ | 4.19 EUR |
| 500+ | 3.61 EUR |
| 1000+ | 3.31 EUR |
| 3000+ | 3.14 EUR |
| 6000+ | 3.06 EUR |
| FFSM1265A |
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Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12.5A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
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Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.82 EUR |
| 10+ | 5.83 EUR |
| 100+ | 4.13 EUR |
| 500+ | 3.55 EUR |
| FFSM1265A |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: QFN
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: QFN
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 9.04 EUR |
| 36+ | 6.47 EUR |
| 100+ | 4.39 EUR |
| 500+ | 4.15 EUR |
| FFSM1265A |
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Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
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Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12.5A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.16 EUR |
| 10+ | 9.37 EUR |
| 100+ | 7.58 EUR |
| 500+ | 6.74 EUR |
| 1000+ | 5.77 EUR |
| FFSM1265A |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 12A, QFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: QFN
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
Anzahl der Pins: 4 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 12A, QFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: QFN
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
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Diodenkonfiguration: Single
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Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 11.27 EUR |
| 37+ | 6.31 EUR |
| 50+ | 5.19 EUR |
| 100+ | 4.52 EUR |