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FFSP2065A

FFSP2065A ON Semiconductor

ffsp2065a-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FFSP2065A ON Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 25A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FFSP2065A FFSP2065A onsemi ffsp2065a-d.pdf SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 20A 650V
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FFSP2065A FFSP2065A onsemi ffsp2065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
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FFSP2065A FFSP2065A onsemi ffsp2065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
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FFSP2065A FFSP2065A ONSEMI 2571954.pdf Description: ONSEMI - FFSP2065A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 64
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 20A 650V
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Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
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Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
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Description: ONSEMI - FFSP2065A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 64
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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