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Technische Details FFSPF0665A onsemi
Description: DIODE SIC 650V 6A TO220F-2FS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-220F-2FS, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote FFSPF0665A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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FFSPF0665A | Hersteller : ON Semiconductor |
 Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FFSPF0665A | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SIC 650V 6A TO220F-2FS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220F-2FS Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
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