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FGA40T65SHD

FGA40T65SHD ON Semiconductor

fga40t65shd-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Technische Details FGA40T65SHD ON Semiconductor

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 40A, Case: TO3P, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Power dissipation: 134W, Pulsed collector current: 120A, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 72.2nC.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGA40T65SHD FGA40T65SHD ON Semiconductor fga40t65shd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA40T65SHD FGA40T65SHD ONSEMI fga40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 72.2nC
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FGA40T65SHD FGA40T65SHD onsemi fga40t65shd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
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FGA40T65SHD FGA40T65SHD onsemi fga40t65shd-d.pdf IGBTs FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
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FGA40T65SHD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 72.2nC
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
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