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Technische Details FGA40T65SHD onsemi
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 40A, Power dissipation: 134W, Case: TO3P, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate charge: 72.2nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 120A.
Weitere Produktangebote FGA40T65SHD nach Preis ab 6.01 EUR bis 9.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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FGA40T65SHD | onsemi |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN |
auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGA40T65SHD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 134W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 72.2nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 120A |
auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGA40T65SHD |
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 9.09 EUR |
| 10+ | 6.01 EUR |
| FGA40T65SHD |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 72.2nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 72.2nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
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