Technische Details FGA50N100BNTD2 ON Semiconductor / Fairchild
Description: IGBT 1000V 50A 156W TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: NPT and Trench, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/243ns, Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 257 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 156 W.
Weitere Produktangebote FGA50N100BNTD2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FGA50N100BNTD2 | ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 156mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FGA50N100BNTD2 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 156mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 156mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)