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FGAF40N60SMD

FGAF40N60SMD ON Semiconductor

fgaf40n60smd-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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Technische Details FGAF40N60SMD ON Semiconductor

Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 36 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PF, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns, Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 119 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 115 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGAF40N60SMD FGAF40N60SMD ON Semiconductor fgaf40n60smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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FGAF40N60SMD FGAF40N60SMD onsemi fgaf40n60smd-d.pdf IGBTs 600 V 80 A 79 W
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FGAF40N60SMD FGAF40N60SMD onsemi fgaf40n60smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 115 W
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FGAF40N60SMD FGAF40N60SMD ON-Semiconductor info-tfgaf40n60smd.pdf IGBT 600V 80A 115W   FGAF40N60SMD TFGAF40N60smd
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