FGB40T65SPD-F085 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns
Switching Energy: 970µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 267 W
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| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 3.85 EUR |
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Technische Details FGB40T65SPD-F085 onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns, Switching Energy: 970µJ (on), 280µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 36 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 267 W.
Weitere Produktangebote FGB40T65SPD-F085 nach Preis ab 3.80 EUR bis 9.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FGB40T65SPD-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO263 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 134W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 36nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGB40T65SPD-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO263 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 134W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 36nC |
auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGB40T65SPD-F085 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBTs Trench IGBT |
auf Bestellung 3989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGB40T65SPD-F085 | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns Switching Energy: 970µJ (on), 280µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 36 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 267 W |
auf Bestellung 46121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGB40T65SPD-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGB40T65SPD-F085 - IGBT, n-Kanal, 80 A, 2 V, 267 W, 650 V, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 267W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGB40T65SPD-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGB40T65SPD-F085 - IGBT, n-Kanal, 80 A, 2 V, 267 W, 650 V, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 267W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGB40T65SPD-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGB40T65SPD-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGB40T65SPD-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |