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FGD3N60LSDTM

FGD3N60LSDTM ON Semiconductor

fgd3n60lsd-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 40W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details FGD3N60LSDTM ON Semiconductor

Description: IGBT 600V 6A TO-252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 234 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A, Supplier Device Package: TO-252AA, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/600ns, Switching Energy: 250µJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 480V, 3A, 470Ohm, 10V, Gate Charge: 12.5 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A, Power - Max: 40 W.

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FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Hersteller : ON Semiconductor fgd3n60lsd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 40W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Hersteller : onsemi / Fairchild FGD3N60LSD_D-1808795.pdf IGBTs 600V IGBT HID Application
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FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Hersteller : ONSEMI 2907308.pdf Description: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Hersteller : ONSEMI 2907308.pdf Description: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Hersteller : ON Semiconductor fgd3n60lsd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 40000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Hersteller : onsemi fgd3n60lsd-d.pdf Description: IGBT 600V 6A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 234 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/600ns
Switching Energy: 250µJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 470Ohm, 10V
Gate Charge: 12.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 40 W
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FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Hersteller : onsemi fgd3n60lsd-d.pdf Description: IGBT 600V 6A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 234 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/600ns
Switching Energy: 250µJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 470Ohm, 10V
Gate Charge: 12.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
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