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Technische Details FGD3N60LSDTM onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6A, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FGD3N60LSDTM
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FGD3N60LSDTM | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FGD3N60LSDTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| FGD3N60LSDTM |
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auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGD3N60LSDTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 40000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGD3N60LSDTM | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 600V 6A TO-252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 234 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A Supplier Device Package: TO-252AA Td (on/off) @ 25°C: 40ns/600ns Switching Energy: 250µJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 480V, 3A, 470Ohm, 10V Gate Charge: 12.5 nC Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Power - Max: 40 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGD3N60LSDTM | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 600V 6A TO-252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 234 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A Supplier Device Package: TO-252AA Td (on/off) @ 25°C: 40ns/600ns Switching Energy: 250µJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 480V, 3A, 470Ohm, 10V Gate Charge: 12.5 nC Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Power - Max: 40 W |
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