Technische Details FGD5T120SH ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-252AA, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 4.8ns/24.8ns, Switching Energy: 247µJ (on), 94µJ (off), Test Condition: 600V, 5A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 6.7 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12.5 A, Power - Max: 69 W.
Weitere Produktangebote FGD5T120SH nach Preis ab 1.18 EUR bis 5.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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FGD5T120SH | ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGD5T120SH | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 5A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 12.5A Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD Application: ignition systems |
auf Bestellung 2489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGD5T120SH | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85334010 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGD5T120SH | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85334010 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGD5T120SH |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.23 EUR |
| 5000+ | 1.18 EUR |
| FGD5T120SH |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 2.93 EUR |
| 46+ | 1.87 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| FGD5T120SH |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.37 EUR |
| 101+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| 1000+ | 1.5 EUR |
| FGD5T120SH |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 45+ | 5.65 EUR |
| 69+ | 3.37 EUR |
| 101+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| 1000+ | 1.5 EUR |