Technische Details FGD5T120SH ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-252AA, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 4.8ns/24.8ns, Switching Energy: 247µJ (on), 94µJ (off), Test Condition: 600V, 5A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 6.7 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12.5 A, Power - Max: 69 W.
Weitere Produktangebote FGD5T120SH nach Preis ab 1.18 EUR bis 4.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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FGD5T120SH | ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGD5T120SH | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD Collector current: 5A Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 12.5A Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 28W Gate charge: 6.7nC Version: ESD Application: ignition systems Type of transistor: IGBT |
auf Bestellung 2489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGD5T120SH | onsemi |
IGBTs 1200V 5A Field Stop Trench IGBT |
auf Bestellung 7490 Stücke: Lieferzeit 220-224 Tag (e) |
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FGD5T120SH | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85334010 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 69W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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FGD5T120SH | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85334010 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 69W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FGD5T120SH |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.23 EUR |
| 5000+ | 1.18 EUR |
| FGD5T120SH |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Collector current: 5A
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 28W
Gate charge: 6.7nC
Version: ESD
Application: ignition systems
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Collector current: 5A
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 28W
Gate charge: 6.7nC
Version: ESD
Application: ignition systems
Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 2489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 2.93 EUR |
| 46+ | 1.87 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| FGD5T120SH |
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Hersteller: onsemi
IGBTs 1200V 5A Field Stop Trench IGBT
IGBTs 1200V 5A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 7490 Stücke:
Lieferzeit 220-224 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.55 EUR |
| 10+ | 2.92 EUR |
| 100+ | 2 EUR |
| 500+ | 1.82 EUR |
| FGD5T120SH |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FGD5T120SH |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)