
FGH40T120SQDNL4 onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 15.14 EUR |
30+ | 8.96 EUR |
120+ | 7.6 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FGH40T120SQDNL4 onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 166 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns, Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 221 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 454 W.
Weitere Produktangebote FGH40T120SQDNL4 nach Preis ab 8.34 EUR bis 15.86 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGH40T120SQDNL4 | Hersteller : onsemi |
![]() |
auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
FGH40T120SQDNL4 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 454W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 160A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
FGH40T120SQDNL4 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||
![]() |
FGH40T120SQDNL4 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
![]() |
FGH40T120SQDNL4 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
FGH40T120SQDNL4 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 227W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 221nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
FGH40T120SQDNL4 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 227W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 221nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
Produkt ist nicht verfügbar |