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FGH4L40T120LQD

FGH4L40T120LQD ON Semiconductor


fgh4l40t120lqd-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details FGH4L40T120LQD ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 59 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns, Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 227 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 306 W.

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FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD Hersteller : ON Semiconductor fgh4l40t120lqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD Hersteller : onsemi fgh4l40t120lqd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns
Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
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FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD Hersteller : onsemi fgh4l40t120lqd-d.pdf IGBTs 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT AND FAST FRD
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FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD Hersteller : ONSEMI 3672835.pdf Description: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FGH4L40T120LQD Hersteller : ON Semiconductor fgh4l40t120lqd-d.pdf FGH4L40T120LQD
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FGH4L40T120LQD Hersteller : ONSEMI fgh4l40t120lqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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FGH4L40T120LQD Hersteller : ONSEMI fgh4l40t120lqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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