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FGH75T65SQDT-F155 ON Semiconductor


fgh75t65sqdt-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details FGH75T65SQDT-F155 ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 76 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns, Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off), Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 128 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W.

Weitere Produktangebote FGH75T65SQDT-F155 nach Preis ab 6.07 EUR bis 17.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGH75T65SQDT-F155 FGH75T65SQDT-F155 onsemi fgh75t65sqdt-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
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30+7.31 EUR
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FGH75T65SQDT-F155 FGH75T65SQDT-F155 onsemi fgh75t65sqdt-d.pdf IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
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FGH75T65SQDT-F155 FGH75T65SQDT-F155 ONSEMI 2357023.pdf Description: ONSEMI - FGH75T65SQDT-F155 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 326 Stücke:
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26+9.14 EUR
100+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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FGH75T65SQDT-F155 ONN fgh75t65sqdt-d.pdf
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
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Hersteller: onsemi
IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+7.39 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH75T65SQDT-F155 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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15+17.09 EUR
26+9.14 EUR
100+7.56 EUR
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FGH75T65SQDT-F155 fgh75t65sqdt-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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