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Technische Details FGH75T65UPD-F085 onsemi / Fairchild
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns, Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 578 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 375 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote FGH75T65UPD-F085 nach Preis ab 8.18 EUR bis 16.30 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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FGH75T65UPD-F085 | Hersteller : onsemi |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 578 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 375 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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FGH75T65UPD-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH75T65UPD-F085 - IGBT, 150 A, 1.69 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65UPD-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGH75T65UPD-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH75T65UPD-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FGH75T65UPD-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 385nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FGH75T65UPD-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 385nC Kind of package: tube |
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